CreeLED芯片的详细特征和真伪的判别
Q:Cree公司红色LED生产芯片吗？
A：Cree公司以前没有生产红色LED芯片，只生产蓝色、绿色、紫外线LED芯片。
Cree led灯珠
Q:Cree的芯片是碳化硅（SiC）材料是基板吗。
A：当前Cree公司的小输出LED芯片采用碳化硅SiC）材料作为基板，EZBright系列LED芯片采用Si基板结构。Cree公司是碳化硅SiC）将材料用于基板上制造蓝色光、绿色光、紫外线LED芯片的世界上罕见的公司。
Q:Cree是否有双电极结构的芯片
A：Cree公司基板上发售采用碳化硅SiC材料的双电极构造芯片（ETC系列）。型号是TR260、TR2432、TR2436等。绝缘胶以固晶为主。详情请参照Cree的产品说明书。
Q：Cree芯片的静电阻力ESD怎么样
A：Cree公司使用碳化硅材料作为基板LED系列芯片的防带电能力全部大于1000VHBM，是100%测试。
Q:LED芯片静电破坏现象能用低倍显微镜观察吗？
通常，相对严重的静电破坏可以通过低倍显微镜观察芯片表面有黑色的孔。
另一方面，需要通过高倍显微镜或SEM来确定轻微的静电破坏。
Q:Cree公司的LED芯片在固晶时对银浆量有什么要求？银浆太多太少会导致什么样的结果呢？
A：Cree公司固晶时银浆的量优选为芯片高度的1/3，最大不能超过1/2芯片高度，芯片的4周银浆被包围。
银浆过多时，芯片侧面的光被遮挡，成品的亮度降低，银浆如果溢出到芯片表面，有可能引起短路现象或死光。
银浆过少的话，接触不良、成品灯VF的值可能会变高或熄灭，另外银浆变质可能会发生上述问题。
Q:Cree公司的LED芯片亮度通常用mw表示，mw和mcd之间怎么换算呢？
A：Cree芯片的亮度一般用辐射功率RF（Radiant Flux表示，单位是mw。它代表一个光源在单位时间里发出的光能，与客户的测量设备系统有关。另一方面，坎德拉（cd）是指单位立体角内的光束，与封装的形状（透镜形状）有很大的关系。因为两者的定义和测定方法不同，所以不能在mw和mcd之间换算。
Q：为什么20mA在5mA的电流下使用经过筛选的芯片会产生亮度和色差呢？
A：这种现象有以下几个原因。
1，LED芯片的亮度和波长都随着电流的变化而变化，变化是非线性的。在绿色光的情况下，其波长漂移宽度大于蓝色光。
2，LED芯片在20mA恒流条件下被筛选，在恒压源下并联操作时，由于每个芯片的VF值的差异而产生电流分配不均，在波长和亮度上产生大的差。
关于亮度、波长、电流关系的变化曲线，请参照Cree的产品说明书。
Q：芯片中心的光轴和支架的几何中心没有对准会有什么影响？
A：这种情况下，会发生光强度与成品不一致、辐射功率下降、发光不对称等情况。请参照下面的图。
Q：如果黄金球从垫上掉下来，会对产品有什么影响？
A：金属球从焊接盘出来的话VF值会变高，有发生漏电的可能性。特别是在双电极芯片的负电极端，焊接线的要求会更加严格。具体请参照下图。
Q:圣杯内壁被污染，对产品有什么影响。
A：支架内壁有污染物，会影响成品亮度，严重影响固晶质量，会发生其他异常问题，所以在固晶前和固晶后必须保证支架内壁清洁。