rgb珠型（led灯珠极性）
2020年中国成为世界LED的制造担当，Mini/MicroLED成为了最闪耀的领域。根据公开资料的统计，2020年审查的项目有24个，其中一半是10亿级的大项目。另一方面，用户对显示产品的分辨率、颜色还原度、画质等规格的追求，从1K到8K，没完没了地持续着。另一方面，成熟的LED行业过于需要新技术、新产品、新市场，带动了产业的大发展。正因为如此，产品开发者才有前进的动力，不断探索新的技术，勇敢地挑战新的高度。
现在，MiniHD显示器rgb的剧本主要有3个。
①普通蓝宝石正装方案：R采用垂直正极性红光芯片，G、B一般采用正装水平芯片；
②反向方式的R采用反向结构的红色芯片，G、B采用反向结构芯片。
③垂直方式的R采用正极性或反极性红光、G、B采用垂直结构芯片。
垂直结构通常指的是通过基板剥离的膜LED芯片，在基板剥离后邦定新的基板，在不邦定基板的情况下制作垂直芯片。
对应屏幕的不同间隔，三个方案的优劣也明显：
p0.9-P1.25mm间距在现阶段是普通的正装水平芯片的舞台，由于价格低的优势，占据了主要市场，虽然也能实现垂直和逆装方案，但大多集中在高端应用市场上。但是，综合来看，逆组合方式比垂直方式rgb的芯片组高约2倍。
p0.6-p0.在9mm间距的应用中，由于物理空间限制的限制，通常的正装方案几乎难以批量生产，逆装和垂直方案都可以满足要求。但是，倒装方案需要增加大量设备，垂直方案包装技术成熟度高，现有包装工厂设备通用。此外，一组垂直芯片成本是跳频芯片的1/2。
在更小的p0中.3-p0。在6mm间距的应用中，背芯片过程面临很大的挑战，垂直结构方案可以根据过程的优势更好地实现。
关键词一杀“毛毛虫”
越是小间隔的显示器越容易遭遇“毛毛虫”的侵蚀，大部分毛毛虫都是金属移动造成的。2018年1010器件发生的严重金属移动问题引起了行业广泛关注和厂商重视。
在一般的使用条件下，LED芯片电极的金属不移动，但是随着芯片尺寸变小，电位差根据湿度、温度、电解质的深度等而变化，在芯片表面的p、N区域间、灯内PCB导电线间、灯外电极和线间、以及模块PCB电极或线间只要存在该电位差，就形成潜在的金属移动倾向，并且，通常先从最弱（即距离电最小的电位差最大）位置移动，从而导致漏电。对于各种各样的rgb方案来说，我们能做的只有延长从过渡趋势的形成到过渡产品失效的过程时间。
图1不同位置的金属移动的典型例子
图2金属移动原理图
为了避免或减少离子转移，需要满足以下几点。
1、PN区电极之间的距离L:L越大越难移动，或者在相同条件下必须经过较长时间形成移动失效。
2，电位差U:U越小，电化学反应速度越慢，难以形成转变，越是消隐电压低，越难形成转变。
3，湿度RH:RH越低，干燥电化反应速度V越慢，移动越难形成，70RH为警戒线。
4、电解质浓度：电极或不同电位线之间的电解质杂质浓度越低，越清洁越难形成移动。
5，温度T:T越低，电化学反应速度越小，难以形成移动。
垂直结构方案在解决金属转移问题上具有天然优势。那个优点主要有三个。
一个是垂直结构芯片的正负极之间的距离大于135。μm，另一方面，随着芯片尺寸的减小，正负极距离减小到6。×8mil芯片电极间距68μm，然后4×5.5mil芯片电极间距小于26μ完了。由于正负极与物理空间的距离较大，即使发生金属离子转移，垂直芯片珠寿命也比水平芯片高4倍以上，极大地提高了产品的可靠性和稳定性。
第二，垂直结构的青绿芯片表面是全不活性金属电极Ti/Pt/Au，难以发生金属移动，主要性能与红色垂直芯片相同，但水平芯片电极材料使用ITO/Cr/Al，这些材料的活性强，容易发生金属移动。
第三，通常的正装水平芯片主要使用绝缘胶，散热性极为恶劣，芯片尺寸越小，灯内的温度越高。另一方面，垂直结构芯片采用银橡胶，导热性能好，灯内的温度比正装电平低得多，可以大幅降低金属离子的移动速度。
图3水平电极结构由于电极间距和通道宽度小，所以容易发生pN区域的金属移动
图4垂直电极结构的良好间距空间大大降低了正负极金属移动
关键词2：高价格比
性价格比是企业规模应用的决定因素。
在显示效果中，与正装结构相比，垂直结构的芯片是单面发光，没有侧光，随着间距变小而产生的光干涉变少。即，由于节距越小亮度损失越小，所以垂直芯片的正装水平芯片的亮度大幅提高。另外，垂直结构rgb3种颜色都是单面出射，因此对于通常的正装以及通常的逆装结构的5面出射，rgb3种颜色不混光，在显示分辨率方面优秀（这是Micro显示芯片必须除去基板的理由之一）。
图5垂直结构和正装水平结构芯片亮度测试数据
在生产良率方面，垂直结构可以比普通的正装结构少打两条线，器件内的线面面积更充分，可以有效地增加设备的生产能力，使设备因焊接线造成的不良降低一位数。
图6通常正装rgb（左）需要打5条线，垂直构造rgb（右）需要打3条线
成本上，垂直结构的青绿LED芯片可以采用最常见的垂直结构的红色LED芯片，对于高端应用或更小间隔的屏幕，一组rgb垂直结构芯片的成本是逆芯片的1/2。同时，垂直结构方案的包装技术成熟度高，现有的包装工厂的设备完全通用，不需要投入新设备，但反组装方案需要增加很多设备，提高包装的良性极为困难。综合来看，现阶段的垂直结构方案显示了推动千家万户的最佳选择。
关键词3：Mini以上
结晶能认为显示的本质是像素，芯片的结构和尺寸只不过是实现的手段，因此建议结晶能根据像素间距来定义MiniLED和MicroLED的显示，不久是p0分类为p0。3mm以下分类为MicroLED。
在现阶段，使用了以5批量生产硅衬底的垂直芯片尺寸的晶体能量垂直方案。×5米～7×7mil的蓝绿色MiniLED芯片将在2021年第4季度量产×4mil垂直芯片与正极性或反极性红色LED芯片重新匹配。
对于不同间距，主要包括P1.25mm的1010个封装产品、P1.25mm~p0的3个方面。这些方案可以制造全垂直结构LED芯片的超高清晰度全彩显示屏，主要应用于户内显示、高清娱乐、远程视频会议等场景。
晶能光电根据客户端的验证结果，5×5mil产品可以满足显示器的每个参数指标，并且可以达到比蓝宝石方法更高的亮度水平。同时，实现更高的装置稼动率和效率，能够有效地避免金属移动引起的网屏不良，即毛毛虫等的失效异常。
对p0的腐蚀？P0.6Mini还使用晶能光电多年开发的Micro芯片技术的70%，即使用Micro级的硅衬底LED材料除去基板后，3？还提出了制造5的可执行方案。μ厚度为2×4mil带焊接金属柱的膜回结构（TFFC）芯片或2.5×2.5mil薄膜垂直结构（（VTF芯片，使用蓝色光和QD量子膜或硅衬底GaN红色薄膜芯片组合的红光。该方案的芯片尺寸比MicroLED芯片（5-40um）大得多，因此与MicroLED技术相比，难易度大幅下降，预计今后2-3年内可以批量生产。
图7p0.3-p0。6的TFFC方案（左）和VTF方案（右）
小结
现在，显示领域也同时存在着各种各样的技术和方案，选择哪个方案取决于最终用户的需求。但是，不管怎样，超大型显示器的发展一定会对显示产品的性能和成本效果提出越来越高的要求。暂且不论今后会发生什么样的变化，垂直结构rgb技术的潜力是显而易见的。（文：LEDinside
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