华硕rgb灯华硕母板rgb灯设定）
Thermaltake曜越现在的产品线非常广，传统的机电散市场常年耕作，产品在DIY玩家层中知名度非常高，在外置面TtMawskybody耳机游戏机等一系列电子运动外装，前年进入内存市场当时发售的ToughRAMrgb内存至今对其独特的外形也留下了深刻的印象。现在Tt中，升级版本ToughRAMXGrgb内存被发布。
ToughRAMXGrgbDDR4内存现在在8GBx2的双信道套装中发售，能够选择从3600MHz到4600MHz的不同频率，英特尔和AMD经过了最新的DDR4内存母板的兼容性测试。其核心粒子经过严格筛选，可以提供高频下的稳定性能量。
内存的具体时机如下表所示。
ToughRAMXGrgb在以往的ToughRAMrgb内部主要与rgb的珠数不同。外观上ToughRAMXGrgbDDR4内存采用新的散热设计，散热片明显分为3个领域，左侧的灰网状物有光滑面，中间是银白色的镜面，右侧是黑的研磨面，左右两侧散热片是铝材，中间部分是不锈钢，1根内存有2个不同的质感。
ToughRAMXGrgb的散热片实际上比上一代产品薄，厚度内存散热片具有高的热容量，理论上散热良好，但实际插入母板4根后内存基本上还有1根相邻，中间几乎没有间隙，不利于与空气的热交换进一步按压散热器风扇的话内存难以拆装，散热片的厚度和厚度有其自身的优点。
从上面看，其实内存散热片是“X”型的布局，散热片的一半是内存的正面，另一部分是背面，这样的散热设计还是崭新的。
我们手头的这个组ToughRAMXGrgb是3600MHz，定时是18-19-39，动作电压是1.35V。
导光带与ToughRAMrgb同样分为3段，但是配置方式有大的不同，左右两侧的导光带收纳在中间散热片X型交叉点，中间不锈钢区域的顶部也有小段的导光带。
ToughRAMXGrgbDDR4内存从10个LED灯升级为16个LED灯，用独特的X型灯条控制8个灯区域，色彩绚丽。用户也可以从ToughRAM软件中选择超过25种的预设灯模式，也可以与包含右编辑软件NeonMaker的多种rgb软件同步设定，也可以与其他附件一起TtrgbPlus软件同步。当然也支持内存、华硕、技嘉、微星、华擎这4个母板灯控制软件。
ToughRAMXGrgb内存追求高频，使用维持Tt10层电路基板的设计和导电性优秀的2oz镀铜电路基板，防止干扰能力强，确保信号传输过程的效率和准确度，构建理想的超频率环境。进一步强化耐磨耗性的10μ镀金手指大幅延长内存模组的寿命。
在Thaiphoon Burner中识别出的内存信息、内存颗粒是SKHynix，型号是H5AN8GNCJR-VKC，有11组JEDEC的标准定时，默认定时是2666MHzCL19-19-43，在JEDEC的标准定时动作时的电压都是1.2V、XMP定时3600MHzCL18-19-39，动作电压是1.35V。
附属的ToughRAMrgb软件
Tt除了向本公司rgb内存提供ToughRAMrgb软件外，还可以使用TtrgbPlus软件或Tt其他产品，例如一体式水冷、分体式水冷、风扇、底盘、电源、各种周边设备进行照明同步当使用该软件时AI能够实现语音控制，能够与亚马逊Alexa雷蛇Chroma幻彩联动。
ToughRAMrgb不仅可以看到内存的照明控制软件，还可以看到内存的信道频率、频率、定时、实时的内存占有量、以及内存的实时温度状况。
软件的照明控制功能也非常强大，不仅可以控制内存的各个珠子的颜色，还可以针对每个内存指定自己的照明效果。这个很多内存不能做。大多数rgb内存只能使用一个照明效果，但是第一次给每个内存分配独立的照明效果。软件内共有27种灯效，有5种方案，用户可预设5种喜欢的灯效随时调用。
此外，还设置了负荷过大警告功能，当负荷超过设定值时内存全部变成红色（或其他指定颜色）来警告负荷状况，内存和CPU的温度高到什么程度后，也可以进入保护自动关机。
内存的灯
过时钟测试
在这次的测试中，Intel使用了目前最高的10核心处理器Core i9-1000K。主板是微星MEG Z490I Unify。这是ITX主板。内存超频率能力比自己的旗舰更强，内存从默认的2133MHz频率开始测试，测试到该超频率极限为止内存的带宽和延迟。
默认情况下TtToughRAMXGrgb的频率为2666MHz，读写速度约36000MB/s，内存延迟65ns。接通XMP后，频率上升到3600MHz，读写速度约49000MB/s，内存延迟50ns。到3800MHz为止的超频率序列电压不需要变更，内存的读写速度稍微提高，延迟降低到49ns。到4000MHz为止的超频率电压被加到1.4V，定时增加到19-21-21-42，内存的读写速度上升到51000/2500MB/s，但是由于定时的增加内存，延迟返回到50ns。4200MHz的定时为20-22-44，读写速度提高到54000/5000MB/s，延迟仍为50ns。
最终稳定频率4400MHz，电压1.42V，定时22-24-24-46，读写速度上升到52000/5600MB/s，内存延迟51ns，memtest可以通过稳定性测试，4600MHz也不能通电。
全文总结
TtToughRAMrgb内存外观设计比以往的ToughRAMrgb有层次感，这样复杂的“X”型散热片和1根内存这两种质感的设计非常罕见，内存内的led灯珠数量也从10个增加到16个，可以享受更丰富多彩的灯光效果。
内存用的粒子也明显比以前强，同频率的CL定时一致，但是后面的小参数更小，这样内存有较低的延迟，对实际游戏的表现有一定的帮助，超频率能力也变好我们手头的3600MHz 3600MHz可以直接超过4400MHz，通过稳定性测试可以长期稳定地使用。