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led灯为什么这么热

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LED灯亮了会发烧吗

如果不能很好地处理散热,就会引起光衰减LED寿命减少

LED灯产生热源的部分有两个。

1.LED芯片

LED芯片发光的电力是输入芯片的功率的一部分。剩下的大部分电力

转换成热能。

2.LED灯的驱动电路

驱动电路是将交流商务应用于LED芯片的恒定电流或限流直流电源。驱动电路)有

很多电子零件在这些部件运转时会消耗电力。这些耗电最终也会

成为热能。

小输出LED使用时,由于芯片分散、驱动电路RC降压等,整体发热时

不严重。另一方面,大功率LED芯片电流大,驱动电路超装置多,整体产生的热相当大。LED为了确保灯的寿命并减轻光衰减,需要良好的热传导。

LED的寿命长度取决于驱动电源和散热方式,LED光源将电能直接转换为光能,接点温度,即从芯片到LED底部之间的温度为10度左右,LED灯整体的发热温度将铝材料部分放热60度左右,超过60度则可以理解为不合格。

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LED是冷光源为什么会变热呢

LED本身是冷光源,冷光源简单地表示发光带的热低,但是LED本身并不是不发热的意思,一般来说LED对发光管来说LED自身的发热量非常低,管体自身的散热充分。

1,LED因为基本上在环氧树脂中装入了小的晶片,所以非常小,非常轻。

2,LED消耗功率非常低,一般情况下LED的工作电压为2?3.6V。工作电流为0.02?0.03A。也就是说,耗电不超过0.1W。

3,在适当的电流和电压下,LED的使用寿命可以达到10万小时。

扩展:

1960年代,科学技术人员利用半导体pN接合发光的原理LED发光二极管开发了。当时开发的LED材料是GaASP,发光颜色是红色。

经过近30年的发展,众所周知LED可以发出红、橙、黄、绿、蓝等多种颜色的光。但是,照明所需的白光LED只是在2000年以后发展起来的,这里就向读者介绍照明用白光LED。

最初应用半导体p-N结发光原理制作的LED光源出现在1960年代初。当时使用的材料是GaASP,发出了红色的光(λp=650nm,驱动电流为20毫安时,光通量仅流明数千分钟,对应光视效能约为0.1流明/瓦。

70年代中期,导入元素In和N,使LED产生绿色光(λp=555nm),黄光(λp=590nm)和橙色(λp=610nm),光视效能也提高到了1流明/瓦。

到了80年代初,GaAlAs的LED光源出现,红色LED的光视效能达到了10流明/瓦特。

参考资料:

百度百科发光二极管

为什么LED灯亮了那么烫手呢?

温度过高,散热条件差,电流大!热量太高,散热处理不好!LED工作时工作,点灯时能量转换时发热,功率越大工作越强,热量也越大。小输出LED一般不需要散热,但大输出LED在点亮时必须用辅助工具辅助散热。散热工具包括散热风扇、铝合金底座等,LED的功率越大所需的散热器材越大,3W的LED的发热量大于1W,10W的LED的发热量大于3W,因此在施加散热工具时根据情况决定。最好是加入铝合金的底座,LED通过将灯的热量直接导出到铝合金基板上散热,可以延长LED的寿命深圳太阳牛电子~~~~LED照明器具成本高,成品照明器具自然高。LED在整个行业链中,60%以上的利润受海外芯片制造商控制,剩余利润在中下游共享。例如,因为是包装、电源、外壳、成品的组装等,所以价格很高。如果使用国产的芯片的话,价格会大幅下降,但是质量还不能过关。

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LED为什么发烧LED发热的主要原因是什么

电子和空穴的辐射通过施加的电能复合而产生电致发光,在pN结附近辐射的光通过芯片chip自身的半导体介质和封装介质到达外部(空气)。总电流注入效率,辐射发射量子效率,芯片外部光取出效率等最终为30?只有40%的输入电能转换成光能,剩下的60种?70%的能量主要以非辐射复合产生的点阵列振动的形式转换为热能。

另一方面,芯片温度的升高增强了非辐射复合,进一步降低了发光效率。因为人们主观地认为大功率LED不发烧,但实际上确实有。有大量的热度,在使用中会发生问题。另外,很多人第一次使用大功率LED,不知道有效解决热问题的方法,产品的可靠性成为主要问题。那么,LED发烧了吗。产生多少热量?LED产生的热的大小为?

在LED正向电压中,电子从电源获得能量,通过电场的驱动克服pN结的电场,从N区转移到P区,这些电子与P区的空穴复合。由于P区中漂移的自由电子具有比P区价电子更高的能量,所以复合时电子会回到低能量状态,多余的能量以光子的形式释放。发射光子的波长与能量差Eg相关。发现发射区域主要在pN结附近,发射是由于电子和空穴的复合发射能量的结果。一个半导体二极管在从电子进入半导体区到离开半导体区的所有路径上遭遇电阻。简单地说,原理上,半导体二极管的物理结构简单地从原理上看,半导体二极管的物理结构源负极出的电子和返回正极的电子的数量相等。在正常的双极中,当电子-空穴对的重组发生时,由能级差Eg的因素发射的光子光谱不在可见光的范围内。

电子在二极管内部的路径中由于电阻的存在而消耗功率。消耗的电力符合电子学的基本规律。

p =I2 R =I2(RN ++Rp )+IVTH

式中:RN YesN区体电阻

VTH为pN接合的导通电压

RpP区体电阻

由电力消耗产生的热量,Q=pt式中:t是二极管通电的时间。

本质上,LED仍然是半导体二极管。因此,LED在顺方向动作的情况下,该动作过程与上述的记述一致。耗电如下。

P LED = U LED × I LED

式中:U LED是LED光源两端的正向电压

ILED是流过LED的电流

这些消耗功率被转换成热量释放。

Q=P LED × t

式中:t为通电时间

实际上,电子与P区空穴复合时释放的能量不是直接从外部电源供给的,而是N区,因为P区的价电子能量水平比P区的价电子能量水平高。当它达到P区后,与空穴复合成为P区的价电子时,就会释放出这么多的能量。Eg的大小取决于材料本身,而不管外部电场如何。外部电源对电子的作用只是指向移动,克服pN结的作用。

LED的发热量与光效果无关。没有百分之几的电力产生光,剩下的百分之几的电力产生热的关系。大功率LED通过对热的产生、热电阻、结温概念的理解和理论公式的导出和热电阻测量,可以研究大功率LED的实际包装设计、评价、产品应用。可以说我的话哦。